组成对低温烧结钛酸钡锶基电容器陶瓷性能的影响 -捕鱼游戏高爆版

编号:99-1443161 | doc格式 | 784.50k | 31 页

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此文档由会员 已隔万里 发布
组成对低温烧结钛酸钡锶基电容器陶瓷性能的影响
effect of composition on properties of low-temperature sintering bst ceramics for capacitor applications

1.25万字 31页 原创作品,已通过查重系统


摘要 (basr)tio3是典型钙钛矿结构的铁电材料它在室温下具有高的介电常数和低的介电损耗是作为片式多层陶瓷电容器(multiplayer ceramic chip capacitors,英文缩写(mlcc))的优良陶瓷介质材料。为降低mlcc产品的成本,就必须实现钛酸钡锶基陶瓷的低温烧结。本课题采用传统固相法制备了钛酸锶钡基(ba0.65sr0.35tio3)电容器陶瓷,研究了不同 nd2o3掺杂含量以及烧结温度对体系微观形貌及介电性能的影响。并用x-射线衍射(xrd)分析了陶瓷样品的晶相组成,利用扫描电镜(sem)分析了不同烧结温度得到的陶瓷显微结构。结果表明:样品为纯钙钛矿结构,nd2o3的掺杂可以导致晶格变大。陶瓷样品表面呈颗粒状,nd2o3掺杂可以改变表面颗粒尺寸;当nd2o3掺杂量过大时,会导致部分晶粒异常长大。当nd2o3掺杂量为0.1wt.%时,陶瓷致密性最好。当nd2o3掺杂量小于0.1wt.%时,样品介电常数随着烧结温度的增加而表现出上升趋势;当nd2o3掺杂量大于0.3 wt.%时,样品介电常数随着烧结温度的增加先增加后降低。nd2o3掺杂量增加时,样品的介质损耗表现为先增加后减少的趋势;975℃下烧结的nd2o3掺杂量为2wt.%的样品的介电性能最好,介电损耗最小(ε=496;tanδ=0.004)


关键词:多层陶瓷电容器 固相法 掺杂 介电性能


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