高介电ccto薄膜制备技术研究 -捕鱼游戏高爆版

编号:99-1443167 | doc格式 | 3.19m | 37 页

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此文档由会员 已隔万里 发布
高介电ccto薄膜制备技术研究
research of high dielectric ccto thin film preparation technology

1.2万字 37页 原创作品,已通过查重系统


摘要 高介电ccto材料具有良好的性能和广泛的应用价值。本文详细论述了ccto材料的结构、制备方法、改性机理及其他性能。本课题通过溶胶-凝胶法制备al、p、si元素掺杂ccto溶液,经陈化制备溶胶,通过浸渍提拉法获得薄膜,并将薄膜于900℃退火2h,得到均匀的ccto薄膜。通过x射线衍射检测其物相组成,利用原子力显微镜观察其微观形貌,其介电性能和压敏性能分别用agilent 4294a阻抗分析仪和cj1001压敏测试仪进行测试。由比较普遍的观点,ccto材料的巨介电性能是由于其内部阻挡层电容(iblc)产生。本课题旨在分析研究不同掺杂对ccto薄膜性能的影响。通过al、p、si元素的掺杂,可以看到介电常数和介质损耗都产生了提高。通过比较三组实验,在掺杂量为0.2的时候,介电性能发生显著提高,同时其具有良好的e-j非线性特征。al元素的p型掺杂和p元素的n型掺杂对ccto材料性能的影响有待进一步研究。


关键词: ccto;高介电材料;溶胶-凝胶法


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